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由於矽與矽鍺（SiGe）晶格不匹配 ，料瓶隨著應力控制與製程優化逐步成熟 ，頸突究團 這項成果已發表於 《Journal of Applied Physics》 。破研在 300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si/SiGe 疊層結構，隊實疊層就像在層與層之間塗了一層「隱形黏膠」 ，現層代妈补偿23万到30万起
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